深圳市利特斯电子科技有限公司

(86)755-82762881

投诉建议热线:

(86)013530791247

首页 - 公司新闻 -

东芝开发0.5V~1.0V工作电压下运行的嵌入式SRAM电路技术

东芝开发0.5V~1.0V工作电压下运行的嵌入式SRAM电路技术

作者:netwing    发布时间:2007-11-22    浏览次数:

日本东芝公司(东京证券交易所:6502 )今天宣布,它已经开发的电路技术,嵌入式SRAM ,在宽电源电压范围, 0.5V至1.0V ,有效地促进电子设备的低功耗操作。捏造的测试芯片采用了三项新技术的SRAM ,以确保正常运作,甚至当工作电压的变化而变化。与此同时,细胞的故障率降低,并实现快速操作。东芝公司已经展示了这些技术在40纳米2MB的SRAM测试芯片在0.5V操作。今天公布的IEEE亚洲固态电路会议( A - SSCC) 2011年在韩国举行,这一成果是。

该芯片采用了三个新的技术来实现稳定运行,甚至当电压变化,或者是低的。
    嵌入式移动设备的LSI SRAM用于数据存储的多个细胞和细胞的特征,即使不同,必须实现性能稳定。传统SRAM技术采用读/写操作的字线选择信号。操作条件,如晶体管的阈值,温度和电压,因人而异,最佳的字线电压SRAM单元的正确操作也随之变化。东芝的新电路技术的SRAM单元的故障率预测,实时和自动编程字线电压,使细胞保留内存,即使经营状况各不相同。其结果是在细胞内的故障率降低到百分之一传统SRAM 。这种新的电路技术,也消除了需要的程序芯片,传统SRAM需要的字线电压芯片。

当感测放大器激活时间调整到最慢的细胞在低电压操作,在高电压操作变得太慢, SRAM的性能降低。这项新技术控制字线电压,使电压控制电路,这就决定了检测放大器激活时机,特点与最慢的电池的电压特性。因此,在激活的最佳时机是在任何操作电压可能。这种技术提高了在高电压操作的激活时机,即使激活检测放大器的时序优化在最低工作电压,造成了18% [ 2]在改善工作频率。

另一个问题是一个位线,在读/写操作,如低于0.7V ,低电压的影响SRAM单元的故障率增加。鉴于传统的技术选择一个字线之一,新技术的同时激活8个字线读取/写入相同的数据,实现低至0.5V的电压工作,虽然可用内存容量减少。 

这三项新技术实现嵌入式SRAM能够在宽电压范围内运作。在0.5V操作电源消耗比传统SRAM少57% 。
东芝正在加速这些技术的发展,并打算适用于宽电压范围LSI经营能力 

背景和目标
进展继续在移动设备,如智能手机和平板,需要降低功耗变得更加紧迫。鉴于先前设备的操作类型无论在恒压操作,按照同类型的操作,如播放视频或音乐,通过改变工作电压最近的设备降低总功耗。因此, LSI能够在宽电压范围内经营的需要。
随着工艺节点的进步,但是,它正在成为难以实现的SRAM用于缓存在LSI内存的稳定运行,在低工作电压。因此,技术,可以确保在低电压,根据电压的变化优化性能的稳定运行,甚至是必需的。该技术的东芝公司已经开发加入少数的电路实现了低功耗和稳定运行。

联系我们:(86)755-82762881

投诉建议:(86)013530791247

邮箱:

总部地址:深圳市龙岗区南湾街道樟树布社区坪埔路11号5楼

微信公众号二维码

微信公众号二维码

Copyright ? 2005-2020深圳市利特斯电子科技有限公司 版权所有 备案号:粤ICP备18031876号-1 后台登录

回到顶部图片
cc漫画,亚洲欧美自拍另类制服图区,老少配bbw,欧洲女同牲恋牲交视频免费 网站地图